Home > Search Results: keywords:"IP core"
Search:
Search Tips :: Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
National Repository of Grey Literature 3 records found  Search took 0.00 seconds. 
Integrated temperature sensor bipolar core
 Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (referee) ; Kledrowetz, Vilém (advisor)
Cílem této práce je popsat možné způsoby realizace teplotního senzoru na křemíkovém čipu v běžných CMOS výrobních technologiích a představit konkrétní implementaci analogového jádra teplotního senzoru využívajícího bipolární tranzistory ve výrobní technologii TSMC 110. Techniky jako chopping, dynamic element matching nebo trimování byly použity k navržení obvodů, jejichž simulovaná 3 přesnost měření je ±3.5 °C bez trimování nebo ±0.6 °C s po jedné trimovací operaci napříč vojenským teplotním rozsahem. Navržené obvody zabírají pouze 0.012 mm čtverečních plochy čipu a jejich celkové parametry jsou srovnatelné s výsledky současných publikovaných prací.
Detailed record
Integrated Temperature Sensor Bipolar Core
 Fránek, Jakub
Analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor was designed in 110 nm CMOS processing technology TSMC 110 and verified using simulation taking PVT variation into account. The analog front-end of the sensor achieves 3s inaccuracy of +-3.5 °C untrimmed or +-0.7 °C after single point trim over the military temperature range (-55 °C to 125 °C), requiring supply voltage of 2.7-3.63 V, consuming as little as 1μW at 1 S/s and taking up less than 0:012mm2.
Detailed record
Integrated temperature sensor bipolar core
 Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (referee) ; Kledrowetz, Vilém (advisor)
Cílem této práce je popsat možné způsoby realizace teplotního senzoru na křemíkovém čipu v běžných CMOS výrobních technologiích a představit konkrétní implementaci analogového jádra teplotního senzoru využívajícího bipolární tranzistory ve výrobní technologii TSMC 110. Techniky jako chopping, dynamic element matching nebo trimování byly použity k navržení obvodů, jejichž simulovaná 3 přesnost měření je ±3.5 °C bez trimování nebo ±0.6 °C s po jedné trimovací operaci napříč vojenským teplotním rozsahem. Navržené obvody zabírají pouze 0.012 mm čtverečních plochy čipu a jejich celkové parametry jsou srovnatelné s výsledky současných publikovaných prací.
Detailed record

Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.
Digital Repository :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.2
Maintained by admin.invenio@techlib.cz
This site is also available in the following languages:
Česky  English